長江存儲科技有限責任公司
發佈日期：2020-07-17 流覽次數：199
工程名稱：國家記憶體基地項目（一期）；國家記憶體基地項目（一期）二階段工程項目
工程地點：武漢光穀未來科技城內
建設單位：長江存儲科技有限責任公司
工程內容：國家存儲基地項目一期通用配電購裝（FAB1）；通用配電B標段
建築面積：76752m2
建築層數：4層
結構類型：鋼筋混凝土框架-剪力牆+大跨度鋼屋架
工程概要：：主廠房BUS WAY、I-LINE盤、ACB盤、SUPS及照明、插座等；配、變電所內插座配電系統安裝及調試；配、變電所內照明配電系統安裝及調試；含母線、I-LINE盤、ACB盤等，以及設備配電用電纜、橋架、照明等
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